FCD5N60TM, МОП-транзистор, N Канал, 4.6 А, 650 В, 950 мОм

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

120,00 руб.

Артикул: 1132063 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	120,00руб.	111,60руб.	108,00руб.	105,60руб.	102,00руб.	96,00руб.	93,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	225,60руб.	207,60руб.	204,00руб.	199,20руб.	192,00руб.	181,20руб.	176,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	229,20руб.	211,20руб.	206,40руб.	201,60руб.	192,00руб.	182,40руб.	178,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	144,00руб.	132,00руб.	129,60руб.	126,00руб.	122,40руб.	115,20руб.	111,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	208,80руб.	192,00руб.	187,20руб.	183,60руб.	177,60руб.	166,80руб.	162,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	130,80руб.	121,20руб.	117,60руб.	115,20руб.	111,60руб.	104,40руб.	102,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

FCD5N60TM, МОП-транзистор, N Канал, 4.6 А, 650 В, 950 мОм The FCD5N60TM is a N-channel SuperFET® high voltage super-junction MOSFET utilizes charge balance technology for outstanding low ON-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dV/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.

• Ultra low gate charge (Qg = 16nC)
• Low effective output capacitance (Coss.eff = 32pF)
• 100% avalanche tested

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-252
Рассеиваемая Мощность	54Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	650В
Непрерывный Ток Стока	4.6А