FCD4N60TM, МОП-транзистор, N Канал, 3.9 А, 600 В, 1 Ом, 10 В, 5 В

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

130,00 руб.

Артикул: 1132062 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	130,00руб.	120,90руб.	117,00руб.	114,40руб.	110,50руб.	104,00руб.	101,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	244,40руб.	224,90руб.	221,00руб.	215,80руб.	208,00руб.	196,30руб.	191,10руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	248,30руб.	228,80руб.	223,60руб.	218,40руб.	208,00руб.	197,60руб.	193,70руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	156,00руб.	143,00руб.	140,40руб.	136,50руб.	132,60руб.	124,80руб.	120,90руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	226,20руб.	208,00руб.	202,80руб.	198,90руб.	192,40руб.	180,70руб.	175,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	141,70руб.	131,30руб.	127,40руб.	124,80руб.	120,90руб.	113,10руб.	110,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

FCD4N60TM, МОП-транзистор, N Канал, 3.9 А, 600 В, 1 Ом, 10 В, 5 ВThe FCD4N60TM is a N-channel SuperFET® high voltage super-junction MOSFET utilizes charge balance technology for outstanding low ON-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dV/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.

• Ultra low gate charge (Qg = 12.8nC)
• Low effective output capacitance (Coss.eff = 32pF)
• 100% avalanche tested

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-252
Рассеиваемая Мощность	50Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	600в
Непрерывный Ток Стока	3.9А