FCB20N60, МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 600 В, 150 мОм

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

490,00 руб.

Артикул: 1132060 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	490,00руб.	455,70руб.	441,00руб.	431,20руб.	416,50руб.	392,00руб.	382,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	921,20руб.	847,70руб.	833,00руб.	813,40руб.	784,00руб.	739,90руб.	720,30руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	935,90руб.	862,40руб.	842,80руб.	823,20руб.	784,00руб.	744,80руб.	730,10руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	588,00руб.	539,00руб.	529,20руб.	514,50руб.	499,80руб.	470,40руб.	455,70руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	852,60руб.	784,00руб.	764,40руб.	749,70руб.	725,20руб.	681,10руб.	661,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	534,10руб.	494,90руб.	480,20руб.	470,40руб.	455,70руб.	426,30руб.	416,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

FCB20N60, МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 600 В, 150 мОм The FCB20N60 is a N-channel SuperFET® high voltage super-junction MOSFET utilizes charge balance technology for outstanding low ON-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dV/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.

• Ultra low gate charge (Qg = 75nC)
• Low effective output capacitance (Coss.eff = 165pF)
• 100% avalanche tested

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-263
Рассеиваемая Мощность	208Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	600в
Непрерывный Ток Стока	20А