66

BSC123N08NS3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 55 А, 80 В

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

84,00 руб.

x 84,00 = 84,00
Артикул: 1131975 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней84,00руб.78,12руб.75,60руб.73,92руб.68,88руб.67,20руб.65,52руб.60,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней152,04руб.139,44руб.136,92руб.133,56руб.124,32руб.121,80руб.118,44руб.106,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней196,56руб.181,44руб.177,24руб.173,04руб.161,28руб.157,08руб.153,72руб.137,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней100,80руб.92,40руб.90,72руб.88,20руб.82,32руб.80,64руб.78,12руб.70,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней194,04руб.178,92руб.174,72руб.170,52руб.165,48руб.159,60руб.151,20руб.136,08руб.

Характеристики

BSC123N08NS3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 55 А, 80 В The BSC123N08NS3 G is a N-channel Power MOSFET with performance leading benchmark OptiMOS™ technology. It is the market leader in highly efficient solutions for power generation, power supply and power consumption applications.

• Optimized technology for DC-to-DC converters
• Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
• Superior thermal resistance
• Dual sided cooling
• Low parasitic inductance
• Low profile
• Normal level
• 100% avalanche tested
• Qualified according to JEDEC for target applications
• Halogen-free, Green device

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

PG-TDSON
Рассеиваемая Мощность

66Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

80В
Непрерывный Ток Стока

55А