9

STS4DPF30L, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -4 А

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

73,00 руб.

x 73,00 = 73,00
Артикул: 1131927 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней73,00руб.67,89руб.65,70руб.64,24руб.59,86руб.58,40руб.56,94руб.52,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней132,13руб.121,18руб.118,99руб.116,07руб.108,04руб.105,85руб.102,93руб.92,71руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней170,82руб.157,68руб.154,03руб.150,38руб.140,16руб.136,51руб.133,59руб.119,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней87,60руб.80,30руб.78,84руб.76,65руб.71,54руб.70,08руб.67,89руб.61,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней168,63руб.155,49руб.151,84руб.148,19руб.143,81руб.138,70руб.131,40руб.118,26руб.

Характеристики

STS4DPF30L, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -4 А The STS4DPF30L is a dual P-channel STripFET™ Power MOSFET for battery management in nomadic equipment and DC-to-DC converter applications. This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique «single feature size» strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

• Standard outline for easy automated surface-mount assembly
• Low threshold drive

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC
Рассеиваемая Мощность

2Вт
Полярность Транзистора

Двойной P Канал
Напряжение Истока-стока Vds

-30В
Непрерывный Ток Стока

-4А