SIA910EDJ-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

50,00 руб.

Артикул: 1131895 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	50,00руб.	46,50руб.	45,00руб.	44,00руб.	41,00руб.	40,00руб.	39,00руб.	36,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	90,50руб.	83,00руб.	81,50руб.	79,50руб.	74,00руб.	72,50руб.	70,50руб.	63,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	117,00руб.	108,00руб.	105,50руб.	103,00руб.	96,00руб.	93,50руб.	91,50руб.	82,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	60,00руб.	55,00руб.	54,00руб.	52,50руб.	49,00руб.	48,00руб.	46,50руб.	42,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	115,50руб.	106,50руб.	104,00руб.	101,50руб.	98,50руб.	95,00руб.	90,00руб.	81,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

SIA910EDJ-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал The SIA910EDJ-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for load switch for portable and high frequency DC-to-DC converter applications.

• Halogen-free
• TrenchFET® power MOSFET
• Thermally enhanced PowerPAK® package
• Small footprint
• Low ON-resistance
• Typical ESD protection
• 100% Rg tested

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	PowerPAK SC70
Рассеиваемая Мощность	7.8Вт
Полярность Транзистора	Двойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	12в
Непрерывный Ток Стока	4.5А