52н

AUIRF7103QTR, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 3 А

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

150,00 руб.

x 150,00 = 150,00
Артикул: 1131613 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней150,00руб.139,50руб.135,00руб.132,00руб.127,50руб.120,00руб.117,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней282,00руб.259,50руб.255,00руб.249,00руб.240,00руб.226,50руб.220,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней286,50руб.264,00руб.258,00руб.252,00руб.240,00руб.228,00руб.223,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней180,00руб.165,00руб.162,00руб.157,50руб.153,00руб.144,00руб.139,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней261,00руб.240,00руб.234,00руб.229,50руб.222,00руб.208,50руб.202,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней163,50руб.151,50руб.147,00руб.144,00руб.139,50руб.130,50руб.127,50руб.

Характеристики

AUIRF7103QTR, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 3 А The AUIRF7103Q is a 50V dual N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology. The automotive MOSFET offers benchmark figure of merit performance and their design optimized to address key applications such as electric power steering, injection, micro hybrid and HEV.

• 175 C Operating temperature
• Dynamic dV/dt rating
• Automotive qualified

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC
Рассеиваемая Мощность

2.4Вт
Полярность Транзистора

Двойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

50в
Непрерывный Ток Стока

3А