MJD200T4G, Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 65 МГц

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

50,00 руб.

Артикул: 1130877 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	50,00руб.	46,50руб.	45,00руб.	44,00руб.	41,00руб.	40,00руб.	39,00руб.	36,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	90,50руб.	83,00руб.	81,50руб.	79,50руб.	74,00руб.	72,50руб.	70,50руб.	63,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	117,00руб.	108,00руб.	105,50руб.	103,00руб.	96,00руб.	93,50руб.	91,50руб.	82,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	60,00руб.	55,00руб.	54,00руб.	52,50руб.	49,00руб.	48,00руб.	46,50руб.	42,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	115,50руб.	106,50руб.	104,00руб.	101,50руб.	98,50руб.	95,00руб.	90,00руб.	81,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

MJD200T4G, Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 65 МГц GP BJT
Trans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/RПолупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер	25В
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-252
Рассеиваемая Мощность	12.5Вт
Полярность Транзистора	npn
DC Ток Коллектора	5а
DC Усиление Тока hFE	70hFE
Частота Перехода ft	65МГц