37

MMBT5550LT1G, Биполярный транзистор, универсальный, NPN

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

18,00 руб.

x 18,00 = 18,00
Артикул: 1130006 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней18,00руб.16,74руб.16,20руб.15,84руб.14,76руб.14,40руб.14,04руб.12,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней32,58руб.29,88руб.29,34руб.28,62руб.26,64руб.26,10руб.25,38руб.22,86руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней42,12руб.38,88руб.37,98руб.37,08руб.34,56руб.33,66руб.32,94руб.29,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней21,60руб.19,80руб.19,44руб.18,90руб.17,64руб.17,28руб.16,74руб.15,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней41,58руб.38,34руб.37,44руб.36,54руб.35,46руб.34,20руб.32,40руб.29,16руб.

Характеристики

MMBT5550LT1G, Биполярный транзистор, универсальный, NPN The MMBT5550LT1G is a NPN high voltage Bipolar Transistor designed for general purpose switching applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.

• Saves board space
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

140В
Стандарт Корпуса Транзистора

sot-23
Рассеиваемая Мощность

225мВт
Полярность Транзистора

npn
DC Ток Коллектора

600мА
DC Усиление Тока hFE

250hFE