67

MMBT3906, Биполярный транзистор, PNP, -40 В, 250 МГц

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

20,00 руб.

x 20,00 = 20,00
Артикул: 1129991 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней20,00руб.18,60руб.18,00руб.17,60руб.16,40руб.16,00руб.15,60руб.14,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней36,20руб.33,20руб.32,60руб.31,80руб.29,60руб.29,00руб.28,20руб.25,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней46,80руб.43,20руб.42,20руб.41,20руб.38,40руб.37,40руб.36,60руб.32,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней24,00руб.22,00руб.21,60руб.21,00руб.19,60руб.19,20руб.18,60руб.16,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней46,20руб.42,60руб.41,60руб.40,60руб.39,40руб.38,00руб.36,00руб.32,40руб.

Характеристики

MMBT3906, Биполярный транзистор, PNP, -40 В, 250 МГц The MMBT3906 is a -40V PNP Bipolar (BJT) Single Transistor designed for general purpose amplifier and switching applications at collector currents of 10µA to 100mA. This product is general usage and suitable for many different applications.

• -40V Collector to base voltage (VCBO)
• -5V Emitter to base voltage (VEBO)
• 83.3 C/W Thermal resistance, junction to case
• 357 C/W Thermal resistance, junction to ambient
• 75ns Fall time (TA = 25 C)

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

-40В
Стандарт Корпуса Транзистора

sot-23
Рассеиваемая Мощность

350мВт
Полярность Транзистора

pnp
DC Ток Коллектора

-200мА
DC Усиление Тока hFE

300hFE
Частота Перехода ft

250МГц