MJD31CTF, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 МГц, 1.56 Вт

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

60,00 руб.

Артикул: 1129925 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	60,00руб.	55,80руб.	54,00руб.	52,80руб.	49,20руб.	48,00руб.	46,80руб.	43,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	108,60руб.	99,60руб.	97,80руб.	95,40руб.	88,80руб.	87,00руб.	84,60руб.	76,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	140,40руб.	129,60руб.	126,60руб.	123,60руб.	115,20руб.	112,20руб.	109,80руб.	98,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	72,00руб.	66,00руб.	64,80руб.	63,00руб.	58,80руб.	57,60руб.	55,80руб.	50,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	138,60руб.	127,80руб.	124,80руб.	121,80руб.	118,20руб.	114,00руб.	108,00руб.	97,20руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

MJD31CTF, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 МГц, 1.56 Вт The MJD31CTF is a NPN Epitaxial Silicon Transistor designed for general-purpose power and switching, such as output or driver stages in applications.

• General purpose amplifier
• Low-speed switching applications
• Lead formed for surface-mount applications
• Electrically similar to popular TIP31 and TIP31C

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер	100В
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-252AB
Рассеиваемая Мощность	1.56Вт
Полярность Транзистора	npn
DC Ток Коллектора	3А
DC Усиление Тока hFE	10hFE
Частота Перехода ft	3МГц