Заполнитель

BDW42G, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

79,00 руб.

x 79,00 = 79,00
Артикул: 1129680 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней79,00руб.73,47руб.71,10руб.69,52руб.64,78руб.63,20руб.61,62руб.56,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней142,99руб.131,14руб.128,77руб.125,61руб.116,92руб.114,55руб.111,39руб.100,33руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней184,86руб.170,64руб.166,69руб.162,74руб.151,68руб.147,73руб.144,57руб.129,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней94,80руб.86,90руб.85,32руб.82,95руб.77,42руб.75,84руб.73,47руб.66,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней182,49руб.168,27руб.164,32руб.160,37руб.155,63руб.150,10руб.142,20руб.127,98руб.

Характеристики

BDW42G, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В The BDW42G is a 100V Silicon NPN Bipolar Complementary Darlington Power Transistor designed for general purpose and low speed switching applications. The transistor has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.

• High DC current gain
• Collector-emitter sustaining voltage(Vce (sus) = 100VDC minimum)
• Low collector-emitter saturation voltage

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

100В
Стандарт Корпуса Транзистора

to-220
Рассеиваемая Мощность

85Вт
Полярность Транзистора

npn
DC Ток Коллектора

15А
DC Усиление Тока hFE

1000hFE
Частота Перехода ft

4МГц