26

2N6287G, Биполярный транзистор, PNP, -100 В, 160 Вт, -20 А

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

440,00 руб.

x 440,00 = 440,00
Артикул: 1129280 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней440,00руб.409,20руб.396,00руб.387,20руб.374,00руб.352,00руб.343,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней827,20руб.761,20руб.748,00руб.730,40руб.704,00руб.664,40руб.646,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней840,40руб.774,40руб.756,80руб.739,20руб.704,00руб.668,80руб.655,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней528,00руб.484,00руб.475,20руб.462,00руб.448,80руб.422,40руб.409,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней765,60руб.704,00руб.686,40руб.673,20руб.651,20руб.611,60руб.594,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней479,60руб.444,40руб.431,20руб.422,40руб.409,20руб.382,80руб.374,00руб.

Характеристики

2N6287G, Биполярный транзистор, PNP, -100 В, 160 Вт, -20 А The 2N6287G is a -100V Silicon PNP Bipolar Complementary Darlington Power Transistor designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications. The transistor has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.

• High DC current gain
• Collector-emitter sustaining voltage(Vce (sus) = 100VDC minimum)
• Collector-base voltage (Vcbo = 100V)
• Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

200 C
Количество Выводов

2вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

-100В
Стандарт Корпуса Транзистора

to-3
Рассеиваемая Мощность

160Вт
Полярность Транзистора

pnp
DC Ток Коллектора

-20А
DC Усиление Тока hFE

100hFE