2N6052G, Биполярный транзистор, PNP, -100 В, 150 Вт, -12 А

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

460,00 руб.

Артикул: 1129269 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	460,00руб.	427,80руб.	414,00руб.	404,80руб.	391,00руб.	368,00руб.	358,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	864,80руб.	795,80руб.	782,00руб.	763,60руб.	736,00руб.	694,60руб.	676,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	878,60руб.	809,60руб.	791,20руб.	772,80руб.	736,00руб.	699,20руб.	685,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	552,00руб.	506,00руб.	496,80руб.	483,00руб.	469,20руб.	441,60руб.	427,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	800,40руб.	736,00руб.	717,60руб.	703,80руб.	680,80руб.	639,40руб.	621,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	501,40руб.	464,60руб.	450,80руб.	441,60руб.	427,80руб.	400,20руб.	391,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

2N6052G, Биполярный транзистор, PNP, -100 В, 150 Вт, -12 А The 2N6052G is a 12A PNP complementary silicon power Darlington Transistor designed for general-purpose amplifier and low frequency switching applications.

• Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
• High DC current gain (hFE = 3500 @ IC = 5A DC)

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	200 C
Количество Выводов	2вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер	-100В
Стандарт Корпуса Транзистора	to-3
Рассеиваемая Мощность	150Вт
Полярность Транзистора	pnp
DC Ток Коллектора	-12А
DC Усиление Тока hFE	100hFE