f00f2d3a24639955e432d01ff8e96893

THAT320P14-U, Массив биполярных транзисторов, малошумящий

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

990,00 руб.

x 990,00 = 990,00
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней990,00руб.920,70руб.891,00руб.871,20руб.841,50руб.792,00руб.772,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.861,20руб.1.712,70руб.1.683,00руб.1.643,40руб.1.584,00руб.1.494,90руб.1.455,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.890,90руб.1.742,40руб.1.702,80руб.1.663,20руб.1.584,00руб.1.504,80руб.1.475,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней1.188,00руб.1.089,00руб.1.069,20руб.1.039,50руб.1.009,80руб.950,40руб.920,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней1.722,60руб.1.584,00руб.1.544,40руб.1.514,70руб.1.465,20руб.1.376,10руб.1.336,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней1.079,10руб.999,90руб.970,20руб.950,40руб.920,70руб.861,30руб.841,50руб.

Характеристики

THAT320P14-U, Массив биполярных транзисторов, малошумящий The THAT320P14-U is a low-noise matched Bipolar Transistor Array with large geometry monolithic 4-matched PNP transistors configuration. It exhibits both high speed and low noise with excellent parameter matching between transistors of the same gender. The base-spreading resistance is 25R for the PNP devices, so their resulting voltage noise is under 1nV/vHz. The device is ideally suited for low-noise amplifier input stages, log amplifiers and many other applications. Fabricated in a dielectrically isolated, complementary bipolar process, each transistor is electrically insulated from the others by a layer of insulating oxide. It exhibits inter-device crosstalk and DC isolation similar to that of discrete transistors. The resulting low collector-to-substrate capacitance produces a PNP fT of 325MHz. Substrate biasing is not required for normal operation, though the substrate should be ac-grounded to optimize speed and minimize crosstalk.

• 4-matched PNP transistors with hfe of 150
• Low voltage noise
• High speed
• 500µV matching between devices
• Dielectrically isolated for low crosstalk and high DC isolation

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

70 C

Количество Выводов

14вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

-40В

Стандарт Корпуса Транзистора

dip

Полярность Транзистора

pnp

DC Ток Коллектора

-20мА

DC Усиление Тока hFE

75hFE