Заполнитель

Транзистор IRFI740GPBF

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

150,00 руб.

x 150,00 = 150,00
Артикул: 1128977 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней150,00руб.139,50руб.135,00руб.132,00руб.127,50руб.120,00руб.117,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней282,00руб.259,50руб.255,00руб.249,00руб.240,00руб.226,50руб.220,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней286,50руб.264,00руб.258,00руб.252,00руб.240,00руб.228,00руб.223,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней180,00руб.165,00руб.162,00руб.157,50руб.153,00руб.144,00руб.139,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней261,00руб.240,00руб.234,00руб.229,50руб.222,00руб.208,50руб.202,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней163,50руб.151,50руб.147,00руб.144,00руб.139,50руб.130,50руб.127,50руб.

Характеристики

IRFI740GPBFThe IRFI740GPBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware. The moulding compound used provides a high isolation capability and a low thermal resistance between the tab and external heat sink. The isolation is equivalent to using a 100 micron mica barrier with standard product. The FULLPAK is mounted to a heat sink using a single clip or by a single screw fixing.

• Isolated package
• 2.5kVRMS (t = 60s, f = 60Hz) High voltage isolation
• 4.8mm Sink to lead creepage distance
• Dynamic dV/dt rating
• Low thermal resistance

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: TO-220-3, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 5.4 А, 40 Вт, 0.55 Ом