Заполнитель

IRFP1405PBF, Транзистор MOSFET N-CH 55V 95A [TO-247AC]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

203,00 руб.

x 203,00 = 203,00
Артикул: 1128965 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней203,00руб.188,79руб.182,70руб.178,64руб.172,55руб.162,40руб.158,34руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней381,64руб.351,19руб.345,10руб.336,98руб.324,80руб.306,53руб.298,41руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней387,73руб.357,28руб.349,16руб.341,04руб.324,80руб.308,56руб.302,47руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней243,60руб.223,30руб.219,24руб.213,15руб.207,06руб.194,88руб.188,79руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней353,22руб.324,80руб.316,68руб.310,59руб.300,44руб.282,17руб.274,05руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней221,27руб.205,03руб.198,94руб.194,88руб.188,79руб.176,61руб.172,55руб.

Характеристики

IRFP1405PBF, Транзистор MOSFET N-CH 55V 95A [TO-247AC]The IRFP1405PBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175 C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device.

• Advanced process technology
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax