67

NDS352AP, Транзистор P-канал 30В 900мА [SSOT3]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

44,00 руб.

x 44,00 = 44,00
Артикул: 1128923 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней44,00руб.40,92руб.39,60руб.38,72руб.36,08руб.35,20руб.34,32руб.31,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней79,64руб.73,04руб.71,72руб.69,96руб.65,12руб.63,80руб.62,04руб.55,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней102,96руб.95,04руб.92,84руб.90,64руб.84,48руб.82,28руб.80,52руб.72,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней52,80руб.48,40руб.47,52руб.46,20руб.43,12руб.42,24руб.40,92руб.36,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней101,64руб.93,72руб.91,52руб.89,32руб.86,68руб.83,60руб.79,20руб.71,28руб.

Характеристики

NDS352AP, Транзистор P-канал 30В 900мА [SSOT3] Enhancement Mode P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (