47

Транзистор IRG4BC30FD-SPBF, IGBT 600В 28А D2Pak

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

293,00 руб.

x 293,00 = 293,00
Артикул: 1128422 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней293,00руб.272,49руб.263,70руб.257,84руб.249,05руб.234,40руб.228,54руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней550,84руб.506,89руб.498,10руб.486,38руб.468,80руб.442,43руб.430,71руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней559,63руб.515,68руб.503,96руб.492,24руб.468,80руб.445,36руб.436,57руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней351,60руб.322,30руб.316,44руб.307,65руб.298,86руб.281,28руб.272,49руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней509,82руб.468,80руб.457,08руб.448,29руб.433,64руб.407,27руб.395,55руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней319,37руб.295,93руб.287,14руб.281,28руб.272,49руб.254,91руб.249,05руб.

Характеристики

IRG4BC30FD-SPBF, IGBT 600В 28А D2PakThe IRG4BC30FD-SPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with hyper-fast diode. It is optimized for medium operating frequencies 1 to 5kHz in hard switching, >20kHz in resonant mode. The generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than generation 3. The IGBT co-packaged with HEXFRED® ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations. The HEXFRED® diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing.

• Optimized for specific application conditions
• Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard generation 3 IR IGBTs

Дополнительная информация

Корпус

d2-pak
Структура

n-канал+диод