75

Транзистор STGW20NC60VD, IGBT 50КГц/30А/600В диод, [TO-247]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

100,00 руб.

x 100,00 = 100,00
Артикул: 1128387 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней100,00руб.93,00руб.90,00руб.88,00руб.85,00руб.80,00руб.78,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней188,00руб.173,00руб.170,00руб.166,00руб.160,00руб.151,00руб.147,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней191,00руб.176,00руб.172,00руб.168,00руб.160,00руб.152,00руб.149,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней120,00руб.110,00руб.108,00руб.105,00руб.102,00руб.96,00руб.93,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней174,00руб.160,00руб.156,00руб.153,00руб.148,00руб.139,00руб.135,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней109,00руб.101,00руб.98,00руб.96,00руб.93,00руб.87,00руб.85,00руб.

Характеристики

STGW20NC60VD, IGBT 50КГц/30А/600В диод, [TO-247]The STGW20NC60VD is a 600V very fast IGBT utilizes the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. It is suitable for use with high frequency inverters, UPS, motor drive, SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies.

• High current capability
• High frequency operation up to 50KHz
• Very soft ultra fast recovery anti-parallel diode
• ±20V Gate to emitter voltage
• 0.63 C/W IGBT thermal resistance, junction to case
• 1.5 C/W IGBT thermal resistance, junction to case
• 50 C/W Thermal resistance, junction to ambient

Дополнительная информация

Корпус

to-247
Структура

n-канал