48

Транзистор IRG7PSH73K10PBF, IGBT 1200В 220А, [TO-247AA]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

760,00 руб.

x 760,00 = 760,00
Артикул: 1128333 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней760,00руб.706,80руб.684,00руб.668,80руб.646,00руб.608,00руб.592,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.428,80руб.1.314,80руб.1.292,00руб.1.261,60руб.1.216,00руб.1.147,60руб.1.117,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.451,60руб.1.337,60руб.1.307,20руб.1.276,80руб.1.216,00руб.1.155,20руб.1.132,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней912,00руб.836,00руб.820,80руб.798,00руб.775,20руб.729,60руб.706,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней1.322,40руб.1.216,00руб.1.185,60руб.1.162,80руб.1.124,80руб.1.056,40руб.1.026,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней828,40руб.767,60руб.744,80руб.729,60руб.706,80руб.661,20руб.646,00руб.

Характеристики

IRG7PSH73K10PBF, IGBT 1200В 220А, [TO-247AA]The IRG7PSH73K10PBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor suitable for a wide range of switching frequencies due to low VCE (ON) and low switching losses. It features rugged transient performance for increased reliability and excellent current sharing in parallel operation.

• Low VCE (ON) Trench IGBT technology
• Low switching losses
• Square RBSOA
• 100% of Parts tested for ILM
• Positive VCE (ON) temperature coefficient
• Tight parameter distribution
• High efficiency in a wide range of applications
• 10µs Short-circuit SOA

Дополнительная информация

Корпус

to247aa
Структура

n-канал