4

Транзистор IRG7PH46UPBF, IGBT 1200В 75А [TO-247AC]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

540,00 руб.

x 540,00 = 540,00
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней540,00руб.502,20руб.486,00руб.475,20руб.459,00руб.432,00руб.421,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.015,20руб.934,20руб.918,00руб.896,40руб.864,00руб.815,40руб.793,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.031,40руб.950,40руб.928,80руб.907,20руб.864,00руб.820,80руб.804,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней648,00руб.594,00руб.583,20руб.567,00руб.550,80руб.518,40руб.502,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней939,60руб.864,00руб.842,40руб.826,20руб.799,20руб.750,60руб.729,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней588,60руб.545,40руб.529,20руб.518,40руб.502,20руб.469,80руб.459,00руб.

Характеристики

IRG7PH46UPBF, IGBT 1200В 75А [TO-247AC]Компания International Rectifier представила новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов на 1200 В для индукционного нагрева, бесперебойных источников питания (UPS), солнечных батарей и сварочной техники.

Это транзисторы: IRG7PH35UPBF, IRG7PH42UPBF, IRG7PH46UPBF и также аналогичные приборы со встроенным диодом с малым временем восстановления. Новое семейство сверхбыстрых 1200 В транзисторов разработано на основе Trench технологии с плоской подложкой Field-Stop, которая позволяет значительно сократить потери на переключение и проводимость для повышения плотности мощности и эффективности работы на высоких частотах. Транзисторы также оптимизированы для применений, не требующих защиты от короткого замыкания, таких как UPS, солнечные инвертеры, сварочное оборудование, и дополняют линейку продукции IR для управления приводами со стойкостью к воздействию тока короткого замыкания в течение 10 мс.

Линейка транзисторов охватывает диапазон токов 20-40 А для корпусированных приборов и до 150 А для кристаллов. Ключевыми преимуществами IGBT является квадратная область безопасной работы (RBSOA), положительный температурный коэффициент напряжения насыщения коллектор-эмиттер (VCEon), малое напряжение насыщения VCEon для уменьшения мощности рассеивания и повышения плотности энергии.

Дополнительная информация

Корпус

to-247ac

Структура

n-канал