4

Транзистор IRG4PH30KDPBF, 1200В 20А 3.1В [ТО-247АС]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

180,00 руб.

x 180,00 = 180,00
Артикул: 1128313 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней180,00руб.167,40руб.162,00руб.158,40руб.153,00руб.144,00руб.140,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней338,40руб.311,40руб.306,00руб.298,80руб.288,00руб.271,80руб.264,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней343,80руб.316,80руб.309,60руб.302,40руб.288,00руб.273,60руб.268,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней216,00руб.198,00руб.194,40руб.189,00руб.183,60руб.172,80руб.167,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней313,20руб.288,00руб.280,80руб.275,40руб.266,40руб.250,20руб.243,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней196,20руб.181,80руб.176,40руб.172,80руб.167,40руб.156,60руб.153,00руб.

Характеристики

IRG4PH30KDPBF, 1200В 20А 3.1В [ТО-247АС]The IRG4PH30KDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. The HEXFRED™ diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses.

• Combines low conduction losses with high switching speed
• Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations
• IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft recovery anti-parallel diodes
• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible

Дополнительная информация

Корпус

to-247ac
Структура

n-канал+диод