Транзистор IRG4PC50FDPBF, IGBT 600В 39А 10кГц [TO-247]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

270,00 руб.

Артикул: 1128304 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	270,00руб.	251,10руб.	243,00руб.	237,60руб.	229,50руб.	216,00руб.	210,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	507,60руб.	467,10руб.	459,00руб.	448,20руб.	432,00руб.	407,70руб.	396,90руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	515,70руб.	475,20руб.	464,40руб.	453,60руб.	432,00руб.	410,40руб.	402,30руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	324,00руб.	297,00руб.	291,60руб.	283,50руб.	275,40руб.	259,20руб.	251,10руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	469,80руб.	432,00руб.	421,20руб.	413,10руб.	399,60руб.	375,30руб.	364,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	294,30руб.	272,70руб.	264,60руб.	259,20руб.	251,10руб.	234,90руб.	229,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRG4PC50FDPBF, IGBT 600В 39А 10кГц [TO-247]The IRG4PC50FDPBF is an insulated gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode, optimized for medium operating frequencies. Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3. IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations.

• ±20V Gate-emitter voltage

Дополнительная информация

Корпус	to-247ac
Структура	n-канал+диод