a588d3a99dd5bac53ca2744985a33ea7

Транзистор IRFR024NTRPBF

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

46,00 руб.

x 46,00 = 46,00
Артикул: 1128138 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней46,00руб.42,78руб.41,40руб.40,48руб.37,72руб.36,80руб.35,88руб.33,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней83,26руб.76,36руб.74,98руб.73,14руб.68,08руб.66,70руб.64,86руб.58,42руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней107,64руб.99,36руб.97,06руб.94,76руб.88,32руб.86,02руб.84,18руб.75,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней55,20руб.50,60руб.49,68руб.48,30руб.45,08руб.44,16руб.42,78руб.38,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней106,26руб.97,98руб.95,68руб.93,38руб.90,62руб.87,40руб.82,80руб.74,52руб.

Характеристики

IRFR024NTRPBFThe IRFR024NTRPBF is a HEXFET® fifth generation N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The package is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level of 1.5W is possible in a typical surface-mount application.

• Advanced process technology
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: D-Pak, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 17 А, 38 Вт