Транзистор IRFH5025TRPBF, Nкан 250В 31А 104мОм PQFN5x6

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

180,00 руб.

Артикул: 1128100 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	180,00руб.	167,40руб.	162,00руб.	158,40руб.	153,00руб.	144,00руб.	140,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	338,40руб.	311,40руб.	306,00руб.	298,80руб.	288,00руб.	271,80руб.	264,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	343,80руб.	316,80руб.	309,60руб.	302,40руб.	288,00руб.	273,60руб.	268,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	216,00руб.	198,00руб.	194,40руб.	189,00руб.	183,60руб.	172,80руб.	167,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	313,20руб.	288,00руб.	280,80руб.	275,40руб.	266,40руб.	250,20руб.	243,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	196,20руб.	181,80руб.	176,40руб.	172,80руб.	167,40руб.	156,60руб.	153,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFH5025TRPBF, Nкан 250В 31А 104мОм PQFN5x6N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon
Infineon’s range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.Транзисторы полевые импортные

Дополнительная информация

Корпус	PQFN5x6
Структура	N-канал