Заполнитель

Транзистор FQPF8N80C

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

130,00 руб.

x 130,00 = 130,00
Артикул: 1128003 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней130,00руб.120,90руб.117,00руб.114,40руб.110,50руб.104,00руб.101,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней244,40руб.224,90руб.221,00руб.215,80руб.208,00руб.196,30руб.191,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней248,30руб.228,80руб.223,60руб.218,40руб.208,00руб.197,60руб.193,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней156,00руб.143,00руб.140,40руб.136,50руб.132,60руб.124,80руб.120,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней226,20руб.208,00руб.202,80руб.198,90руб.192,40руб.180,70руб.175,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней141,70руб.131,30руб.127,40руб.124,80руб.120,90руб.113,10руб.110,50руб.

Характеристики

FQPF8N80CThe FQPF8N80C is a 800V N-channel QFET® enhancement mode Power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is well suited for high efficient switched mode power supplies, active power factor correction and electronic lamp ballast based on half bridge topology. This product is general usage and suitable for many different applications.

• Low gate charge
• 100% Avalanche tested
• Improved system reliability in PFC and soft switching topologies
• Switching loss improvements
• Lower conduction loss

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: TO-220F, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 8 А, 59 Вт