804

FCA22N60N, Транзистор, SupreMOS, N-канал, 600В, 22А

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

170,00 руб.

x 170,00 = 170,00
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней170,00руб.158,10руб.153,00руб.149,60руб.144,50руб.136,00руб.132,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней319,60руб.294,10руб.289,00руб.282,20руб.272,00руб.256,70руб.249,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней324,70руб.299,20руб.292,40руб.285,60руб.272,00руб.258,40руб.253,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней204,00руб.187,00руб.183,60руб.178,50руб.173,40руб.163,20руб.158,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней295,80руб.272,00руб.265,20руб.260,10руб.251,60руб.236,30руб.229,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней185,30руб.171,70руб.166,60руб.163,20руб.158,10руб.147,90руб.144,50руб.

Характеристики

FCA22N60N, Транзистор, SupreMOS, N-канал, 600В, 22А SupreMOS – это семейство 600В MOSFET транзисторов, выполненных по технологии super-junction. Эти транзисторы с сопротивлением открытого канала 165 мОм FCP22N60N, FCPF22N60NT и FCA22N60N и 199 мОм FCP16N60N, FCPF16N60NT и FCA16N60N имеют лучшие в своем классе характеристики по быстродействию (di/dt и dv/dt) и позволяют повысить плотность мощности и КПД источников питания и, при этом, за счет большого напряжения пробоя и отличных характеристик встроенного диода, обеспечивают высокий уровень надежности.

Первые представители семейства – FCP16N60N и FCP22N60N, доступны в корпусах TO220, TO220F и TO3PN. У FCP16N60N параметр RDS(ON) равен 199 мОм, а у FCP22N60N – 165 мОм. MOSFET-транзисторы характеризуются отличной скоростью нарастания напряжения dv/dt как самого транзистора, так и встроенного диода. Кроме того, они обладают хорошими значениями лавинной энергии.

Отличительные особенности:
• Низкое сопротивление в открытом состоянии RDS(ON) = 20 мОм на см2
• dv/dt диода: 20 В/нс (при 200 А/мкс)
• dv/dt транзистора: 100 В/нс
• Лавинная энергия: 355 мДж у 199-мОм приборов; 672 мДж у 165-мОм приборов.

Дополнительная информация

Корпус

to3p

Структура

n-канал