IRFR7546PBF, Транзистор, StrongIRFET, N-канал, 60В, 56А

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

28,30 руб.

Артикул: 1127197 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	28,30руб.	26,32руб.	25,47руб.	24,90руб.	23,21руб.	22,64руб.	22,07руб.	20,38руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	51,22руб.	46,98руб.	46,13руб.	45,00руб.	41,88руб.	41,04руб.	39,90руб.	35,94руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	66,22руб.	61,13руб.	59,71руб.	58,30руб.	54,34руб.	52,92руб.	51,79руб.	46,41руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	33,96руб.	31,13руб.	30,56руб.	29,72руб.	27,73руб.	27,17руб.	26,32руб.	23,77руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	65,37руб.	60,28руб.	58,86руб.	57,45руб.	55,75руб.	53,77руб.	50,94руб.	45,85руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFR7546PBF, Транзистор, StrongIRFET, N-канал, 60В, 56А The IRFR7546TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, synchronous rectifier applications, half-bridge and full-bridge topologies.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Дополнительная информация

Корпус	dpak
Структура	n-канал