51

Транзистор IRFR3411PBF, Nкан 100В 32А D-Pak

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

80,00 руб.

x 80,00 = 80,00
Артикул: 1127189 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней80,00руб.74,40руб.72,00руб.70,40руб.65,60руб.64,00руб.62,40руб.57,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней144,80руб.132,80руб.130,40руб.127,20руб.118,40руб.116,00руб.112,80руб.101,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней187,20руб.172,80руб.168,80руб.164,80руб.153,60руб.149,60руб.146,40руб.131,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней96,00руб.88,00руб.86,40руб.84,00руб.78,40руб.76,80руб.74,40руб.67,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней184,80руб.170,40руб.166,40руб.162,40руб.157,60руб.152,00руб.144,00руб.129,60руб.

Характеристики

IRFR3411PBF, Nкан 100В 32А D-PakThe IRFR3411PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance

Дополнительная информация

Корпус

dpak
Структура

n-канал