IRFP7530PBF, Транзистор, StrongIRFET, N-канл, 60В, 195А

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

349,00 руб.

Артикул: 1127184 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	349,00руб.	324,57руб.	314,10руб.	307,12руб.	296,65руб.	279,20руб.	272,22руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	656,12руб.	603,77руб.	593,30руб.	579,34руб.	558,40руб.	526,99руб.	513,03руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	666,59руб.	614,24руб.	600,28руб.	586,32руб.	558,40руб.	530,48руб.	520,01руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	418,80руб.	383,90руб.	376,92руб.	366,45руб.	355,98руб.	335,04руб.	324,57руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	607,26руб.	558,40руб.	544,44руб.	533,97руб.	516,52руб.	485,11руб.	471,15руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	380,41руб.	352,49руб.	342,02руб.	335,04руб.	324,57руб.	303,63руб.	296,65руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFP7530PBF, Транзистор, StrongIRFET, N-канл, 60В, 195А The IRFP7530PBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, DC-to-AC inverters, DC-to-DC and AC-to-DC converters.

• Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Дополнительная информация

Корпус	to247ac
Структура	n-канал