Заполнитель

Транзистор IRFI4020H-117P, 2Nкан 200В 9.1А TO220FP

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

223,00 руб.

x 223,00 = 223,00
Артикул: 1127167 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней223,00руб.207,39руб.200,70руб.196,24руб.189,55руб.178,40руб.173,94руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней419,24руб.385,79руб.379,10руб.370,18руб.356,80руб.336,73руб.327,81руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней425,93руб.392,48руб.383,56руб.374,64руб.356,80руб.338,96руб.332,27руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней267,60руб.245,30руб.240,84руб.234,15руб.227,46руб.214,08руб.207,39руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней388,02руб.356,80руб.347,88руб.341,19руб.330,04руб.309,97руб.301,05руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней243,07руб.225,23руб.218,54руб.214,08руб.207,39руб.194,01руб.189,55руб.

Характеристики

IRFI4020H-117P, 2Nкан 200В 9.1А TO220FPThe IRFI4020H-117P is a HEXFET® dual N-channel Power MOSFET designed for class-D audio amplifier applications. It consists of two power MOSFET switches connected in half-bridge configuration. The latest process is used to achieve low ON-resistance per silicon area. Furthermore, gate charge, body-diode reverse recovery and internal gate resistance are optimized to improve key class-D audio amplifier performance factors such as efficiency, THD and EMI. These combine to make this half-bridge a highly efficient, robust and reliable device. It can delivery up to 300W per channel into 8R load in half-bridge configuration amplifier.

• Reduces the part count by half
• Facilitates better PCB layout
• Low RDS (ON) for improved efficiency
• Low Qg and Qsw for better THD and improved efficiency
• Low Qrr for better THD and lower EMI

Дополнительная информация

Корпус

to220fp-5
Структура

2n-канала