Заполнитель

Транзистор IRFB42N20DPBF, Nкан 200В 42.6А TO-220AB

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

220,00 руб.

x 220,00 = 220,00
Артикул: 1127108 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней220,00руб.204,60руб.198,00руб.193,60руб.187,00руб.176,00руб.171,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней413,60руб.380,60руб.374,00руб.365,20руб.352,00руб.332,20руб.323,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней420,20руб.387,20руб.378,40руб.369,60руб.352,00руб.334,40руб.327,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней264,00руб.242,00руб.237,60руб.231,00руб.224,40руб.211,20руб.204,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней382,80руб.352,00руб.343,20руб.336,60руб.325,60руб.305,80руб.297,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней239,80руб.222,20руб.215,60руб.211,20руб.204,60руб.191,40руб.187,00руб.

Характеристики

IRFB42N20DPBF, Nкан 200В 42.6А TO-220ABThe IRFB42N20DPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers low gate-to-drain charge to reduce switching losses. It is suitable for high frequency DC-to-DC converters.

• Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
• Fully characterized avalanche voltage and current

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал