Транзистор IRFB4228PBF, Nкан 150В 83А TO220AB

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

229,00 руб.

Артикул: 1127106 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	229,00руб.	212,97руб.	206,10руб.	201,52руб.	194,65руб.	183,20руб.	178,62руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	430,52руб.	396,17руб.	389,30руб.	380,14руб.	366,40руб.	345,79руб.	336,63руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	437,39руб.	403,04руб.	393,88руб.	384,72руб.	366,40руб.	348,08руб.	341,21руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	274,80руб.	251,90руб.	247,32руб.	240,45руб.	233,58руб.	219,84руб.	212,97руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	398,46руб.	366,40руб.	357,24руб.	350,37руб.	338,92руб.	318,31руб.	309,15руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	249,61руб.	231,29руб.	224,42руб.	219,84руб.	212,97руб.	199,23руб.	194,65руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFB4228PBF, Nкан 150В 83А TO220ABThe IRFB4228PBF is a HEXFET® single N-channel PDP switch Power MOSFET specifically designed for sustain, energy recovery and pass switch applications in plasma display panels. It utilizes the latest processing techniques to achieve low ON-resistance per silicon area and low EPULSE rating. Additional features of this MOSFET are 175 C operating junction temperature and high repetitive peak current capability. It combines to make this MOSFET a highly efficient, robust and reliable device for PDP driving applications. It is optimized for PDP sustain, energy recovery and pass switch applications.

• Advanced process technology
• Low EPULSE rating to reduce power dissipation
• Low Qg for fast response
• High repetitive peak current capability for reliable operation
• Short fall and rise times for fast switching
• Repetitive avalanche capability for robustness and reliability

Дополнительная информация

Корпус	to220ab
Структура	n-канал