Заполнитель

STW88N65M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 650В, 0.024Ом

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

880,00 руб.

x 880,00 = 880,00
Артикул: 1126915 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней880,00руб.818,40руб.792,00руб.774,40руб.748,00руб.704,00руб.686,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.654,40руб.1.522,40руб.1.496,00руб.1.460,80руб.1.408,00руб.1.328,80руб.1.293,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.680,80руб.1.548,80руб.1.513,60руб.1.478,40руб.1.408,00руб.1.337,60руб.1.311,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней1.056,00руб.968,00руб.950,40руб.924,00руб.897,60руб.844,80руб.818,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней1.531,20руб.1.408,00руб.1.372,80руб.1.346,40руб.1.302,40руб.1.223,20руб.1.188,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней959,20руб.888,80руб.862,40руб.844,80руб.818,40руб.765,60руб.748,00руб.

Характеристики

STW88N65M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 650В, 0.024Ом The STW88N65M5 is a MDmesh™ V N-channel Power MOSFET offers excellent switching performance. This MDmesh™ V Power MOSFET based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low ON-resistance, which is unmatched among silicon based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

• Worldwide best RDS (ON)
• Higher VDSS rating
• Higher dV/dt capability
• Easy to drive
• 100% avalanche tested

Дополнительная информация

Корпус

to247
Структура

n-канал