9

STS4DNF60L, Транзистор, STripFET, N-канал, 60В, 0.045Ом

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

23,00 руб.

x 23,00 = 23,00
Артикул: 1126900 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней23,00руб.21,39руб.20,70руб.20,24руб.18,86руб.18,40руб.17,94руб.16,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней41,63руб.38,18руб.37,49руб.36,57руб.34,04руб.33,35руб.32,43руб.29,21руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней53,82руб.49,68руб.48,53руб.47,38руб.44,16руб.43,01руб.42,09руб.37,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней27,60руб.25,30руб.24,84руб.24,15руб.22,54руб.22,08руб.21,39руб.19,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней53,13руб.48,99руб.47,84руб.46,69руб.45,31руб.43,70руб.41,40руб.37,26руб.

Характеристики

STS4DNF60L, Транзистор, STripFET, N-канал, 60В, 0.045Ом The STS4DNF60L is a N-channel STripFET™ Power MOSFET for switching applications. This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique «single feature size» strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

• Standard outline for easy automated surface-mount assembly
• Low threshold gate drive

Дополнительная информация

Корпус

so8
Структура

n-канал