Заполнитель

STP80NF12, Транзистор, STRIPFET II, N-канал, 120В, 0.013Ом

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

87,00 руб.

x 87,00 = 87,00
Артикул: 1126896 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней87,00руб.80,91руб.78,30руб.76,56руб.71,34руб.69,60руб.67,86руб.62,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней157,47руб.144,42руб.141,81руб.138,33руб.128,76руб.126,15руб.122,67руб.110,49руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней203,58руб.187,92руб.183,57руб.179,22руб.167,04руб.162,69руб.159,21руб.142,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней104,40руб.95,70руб.93,96руб.91,35руб.85,26руб.83,52руб.80,91руб.73,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней200,97руб.185,31руб.180,96руб.176,61руб.171,39руб.165,30руб.156,60руб.140,94руб.

Характеристики

STP80NF12, Транзистор, STRIPFET II, N-канал, 120В, 0.013Ом The STP80NF12 is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. It is suitable as primary switch in advanced high-efficiency, high-frequency isolated DC-to-DC converters for telecom and computer applications. It is also intended for any applications with low gate drive requirements.

• Exceptional dV/dt capability
• 100% Avalanche tested
• Application oriented characterization
• -55 to 175 C Operating junction temperature

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал