60

IRFD9120PBF, Транзистор, P-канал 100В 1А [HD1]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

28,00 руб.

x 28,00 = 28,00
Артикул: 1126714 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней28,00руб.26,04руб.25,20руб.24,64руб.22,96руб.22,40руб.21,84руб.20,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней50,68руб.46,48руб.45,64руб.44,52руб.41,44руб.40,60руб.39,48руб.35,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней65,52руб.60,48руб.59,08руб.57,68руб.53,76руб.52,36руб.51,24руб.45,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней33,60руб.30,80руб.30,24руб.29,40руб.27,44руб.26,88руб.26,04руб.23,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней64,68руб.59,64руб.58,24руб.56,84руб.55,16руб.53,20руб.50,40руб.45,36руб.

Характеристики

IRFD9120PBF, Транзистор, P-канал 100В 1А [HD1]The IRFD9120PBF is a -100V P-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• 175 C Operating temperature
• Easy to parallel
• Simple drive requirement
• For automatic insertion
• End stackable

Дополнительная информация

Корпус

hd-1
Структура

p-канал