60

IRFD9024PBF, Транзистор, P-канал 60В 1.6А [HD1]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

35,00 руб.

x 35,00 = 35,00
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней35,00руб.32,55руб.31,50руб.30,80руб.28,70руб.28,00руб.27,30руб.25,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней63,35руб.58,10руб.57,05руб.55,65руб.51,80руб.50,75руб.49,35руб.44,45руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней81,90руб.75,60руб.73,85руб.72,10руб.67,20руб.65,45руб.64,05руб.57,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней42,00руб.38,50руб.37,80руб.36,75руб.34,30руб.33,60руб.32,55руб.29,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней80,85руб.74,55руб.72,80руб.71,05руб.68,95руб.66,50руб.63,00руб.56,70руб.

Характеристики

IRFD9024PBF, Транзистор, P-канал 60В 1.6А [HD1]The IRFD9024PBF is a -60V P-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• 175 C Operating temperature
• Easy to parallel
• Simple drive requirement
• For automatic insertion
• End stackable

Дополнительная информация

Корпус

hd-1

Структура

p-канал