52н

IRLL2705TRPBF, Транзистор N-CH 55V 3.8A [SOT-223]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

22,00 руб.

x 22,00 = 22,00
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней22,00руб.20,46руб.19,80руб.19,36руб.18,04руб.17,60руб.17,16руб.15,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней39,82руб.36,52руб.35,86руб.34,98руб.32,56руб.31,90руб.31,02руб.27,94руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней51,48руб.47,52руб.46,42руб.45,32руб.42,24руб.41,14руб.40,26руб.36,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней26,40руб.24,20руб.23,76руб.23,10руб.21,56руб.21,12руб.20,46руб.18,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней50,82руб.46,86руб.45,76руб.44,66руб.43,34руб.41,80руб.39,60руб.35,64руб.

Характеристики

IRLL2705TRPBF, Транзистор N-CH 55V 3.8A [SOT-223]The IRLL2705TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The package is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has the added advantage of improved thermal performance due to an enlarged tab for heat sinking. Power dissipation of 1W is possible in a typical surface-mount application.

• Dynamic dV/dt rating
• Logic level gate drive
• Ease of paralleling
• Advanced process technology
• Low static drain-to-source ON-resistance

Дополнительная информация

Корпус

sot223

Структура

n-канал