52н

IRL3803PBF, Транзистор N-канал 30В 120А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

90,00 руб.

x 90,00 = 90,00
Артикул: 1126317 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней90,00руб.83,70руб.81,00руб.79,20руб.73,80руб.72,00руб.70,20руб.64,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней162,90руб.149,40руб.146,70руб.143,10руб.133,20руб.130,50руб.126,90руб.114,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней210,60руб.194,40руб.189,90руб.185,40руб.172,80руб.168,30руб.164,70руб.147,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней108,00руб.99,00руб.97,20руб.94,50руб.88,20руб.86,40руб.83,70руб.75,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней207,90руб.191,70руб.187,20руб.182,70руб.177,30руб.171,00руб.162,00руб.145,80руб.

Характеристики

IRL3803PBF, Транзистор N-канал 30В 120А [TO-220AB]The IRL3803PBF is a HEXFET® fifth generation N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.

• Logic level gate drive
• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал