IRFB52N15DPBF, Транзистор, N-канал 150В 60А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

110,00 руб.

Артикул: 1126091 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	110,00руб.	102,30руб.	99,00руб.	96,80руб.	93,50руб.	88,00руб.	85,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	206,80руб.	190,30руб.	187,00руб.	182,60руб.	176,00руб.	166,10руб.	161,70руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	210,10руб.	193,60руб.	189,20руб.	184,80руб.	176,00руб.	167,20руб.	163,90руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	132,00руб.	121,00руб.	118,80руб.	115,50руб.	112,20руб.	105,60руб.	102,30руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	191,40руб.	176,00руб.	171,60руб.	168,30руб.	162,80руб.	152,90руб.	148,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	119,90руб.	111,10руб.	107,80руб.	105,60руб.	102,30руб.	95,70руб.	93,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFB52N15DPBF, Транзистор, N-канал 150В 60А [TO-220AB]The IRFB52N15DPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design. It is suitable for high frequency DC-to-DC converters and plasma display panel.

• Fully characterized avalanche voltage and current
• Low gate-to-drain charge to reduce switching losses

Дополнительная информация

Корпус	to220ab
Структура	n-канал