2

Транзистор IRF7313PBF, Транзисто, 2N-канала 30В 6.5А [SO-8]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

26,00 руб.

x 26,00 = 26,00
Артикул: 1125967 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней26,00руб.24,18руб.23,40руб.22,88руб.21,32руб.20,80руб.20,28руб.18,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней47,06руб.43,16руб.42,38руб.41,34руб.38,48руб.37,70руб.36,66руб.33,02руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней60,84руб.56,16руб.54,86руб.53,56руб.49,92руб.48,62руб.47,58руб.42,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней31,20руб.28,60руб.28,08руб.27,30руб.25,48руб.24,96руб.24,18руб.21,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней60,06руб.55,38руб.54,08руб.52,78руб.51,22руб.49,40руб.46,80руб.42,12руб.

Характеристики

IRF7313PBF, Транзисто, 2N-канала 30В 6.5А [SO-8]The IRF7313PBF is a dual N-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Fully avalanche rated

Дополнительная информация

Корпус

so8
Структура

2n-канала