47

IRF3710ZPBF, Транзистор, N-канал 100В 59А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

47,00 руб.

x 47,00 = 47,00
Артикул: 1125885 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней47,00руб.43,71руб.42,30руб.41,36руб.38,54руб.37,60руб.36,66руб.33,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней85,07руб.78,02руб.76,61руб.74,73руб.69,56руб.68,15руб.66,27руб.59,69руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней109,98руб.101,52руб.99,17руб.96,82руб.90,24руб.87,89руб.86,01руб.77,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней56,40руб.51,70руб.50,76руб.49,35руб.46,06руб.45,12руб.43,71руб.39,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней108,57руб.100,11руб.97,76руб.95,41руб.92,59руб.89,30руб.84,60руб.76,14руб.

Характеристики

IRF3710ZPBF, Транзистор, N-канал 100В 59А [TO-220AB]The IRF3710ZPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175 C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced process technology
• Ultra-low ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал