47

IRF3315PBF, Транзистор, N-канал 150В 27А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

57,00 руб.

x 57,00 = 57,00
Артикул: 1125873 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней57,00руб.53,01руб.51,30руб.50,16руб.46,74руб.45,60руб.44,46руб.41,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней103,17руб.94,62руб.92,91руб.90,63руб.84,36руб.82,65руб.80,37руб.72,39руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней133,38руб.123,12руб.120,27руб.117,42руб.109,44руб.106,59руб.104,31руб.93,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней68,40руб.62,70руб.61,56руб.59,85руб.55,86руб.54,72руб.53,01руб.47,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней131,67руб.121,41руб.118,56руб.115,71руб.112,29руб.108,30руб.102,60руб.92,34руб.

Характеристики

IRF3315PBF, Транзистор, N-канал 150В 27А [TO-220AB]The IRF3315PBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал