тик

IRF1010EPBF, Транзистор, N-канал 60В 79 А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

47,00 руб.

x 47,00 = 47,00
Артикул: 1125840 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней47,00руб.43,71руб.42,30руб.41,36руб.38,54руб.37,60руб.36,66руб.33,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней85,07руб.78,02руб.76,61руб.74,73руб.69,56руб.68,15руб.66,27руб.59,69руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней109,98руб.101,52руб.99,17руб.96,82руб.90,24руб.87,89руб.86,01руб.77,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней56,40руб.51,70руб.50,76руб.49,35руб.46,06руб.45,12руб.43,71руб.39,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней108,57руб.100,11руб.97,76руб.95,41руб.92,59руб.89,30руб.84,60руб.76,14руб.

Характеристики

IRF1010EPBF, Транзистор, N-канал 60В 79 А [TO-220AB]The IRF1010EPBF is a 60V single N-channel HEXFET Power MOSFET with advanced process technology. Advanced HEXFET® power MOSFET from International rectifier utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Ultra low on-resistance
• Dynamic dv/dt rating
• Fast switching
• Fully avalanche rated
• Industry-leading quality
• Planar MOSFET technology
• ±20V Gate to source voltage
• 1.4W/ C Linear derating factor
• 50A Avalanche current (IAR)
• 0.75 C/W Thermal resistance, junction to case
• 62 C/W Thermal resistance, junction to ambient

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал