BCR135E6327HTSA1, Транзистор NPN DGTL AF [SOT-23] (WJs)

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

4,00 руб.

Артикул: 1123282 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	4,00руб.	3,72руб.	3,60руб.	3,52руб.	3,28руб.	3,20руб.	3,12руб.	2,88руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	7,24руб.	6,64руб.	6,52руб.	6,36руб.	5,92руб.	5,80руб.	5,64руб.	5,08руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	9,36руб.	8,64руб.	8,44руб.	8,24руб.	7,68руб.	7,48руб.	7,32руб.	6,56руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	4,80руб.	4,40руб.	4,32руб.	4,20руб.	3,92руб.	3,84руб.	3,72руб.	3,36руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	9,24руб.	8,52руб.	8,32руб.	8,12руб.	7,88руб.	7,60руб.	7,20руб.	6,48руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

BCR135E6327HTSA1, Транзистор NPN DGTL AF [SOT-23] (WJs)The BCR 135 E6327 is a NPN silicon digital Bipolar Transistor suitable for switching circuit, inverter and interface circuit driver circuit applications.

• Built-in bias resistor (R1 = 10kR, R2 = 47kR)

Дополнительная информация

Корпус	sot23
Структура	npn
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	20
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	0.2